消息稱(chēng)三星將發(fā)布超高速32Gb DDR5內(nèi)存芯片

2024年2月5日消息，據(jù)TheElec報(bào)道，三星將在即將到來(lái)的2024年IEEE國(guó)際固態(tài)電路峰會(huì)上推出多款尖端內(nèi)存產(chǎn)品，其中包括一款超高速32Gb DDR5內(nèi)存芯片。

　　芯片采用三星最新的12nm級(jí)工藝制造，可提供高達(dá)7200Mbps的傳輸速度，比目前的DDR4內(nèi)存快近兩倍。此外，芯片還支持雙通道模式，可進(jìn)一步提升內(nèi)存帶寬。

　　三星表示，這款新芯片將面向服務(wù)器、人工智能和高性能計(jì)算等領(lǐng)域應(yīng)用。